瀏覽數量:491 作者:本站編輯 發布時間: 2017-05-31 來源:本站
靶中毒現象是怎么回事?
(1)陽極消失:靶中毒時,接地的真空室壁上也沉積了絕緣膜,到達陽極的電子無法進入陽極,形成陽極消失現象。
(2)正離子堆積:靶中毒時,靶面形成一層絕緣膜,正離子到達陰極靶面時由于絕緣層的阻擋,不能直接進入陰極靶面,而是堆積在靶面上,容易產生冷場致弧光放電---打弧,使陰極濺射無法進行下去。
靶中毒的物理解釋
(1)寶雞歐凱濺射靶材指出,一般情況下,金屬化合物的二次電子發射系數比金屬的高,靶中毒后,靶材表面都是金屬化合物,在受到離子轟擊之后,釋放的二次電子數量增加,提高了空間的導通能力,降低了等離子體阻抗,導致濺射電壓降低。從而降低了濺射速率。一般情況下磁控濺射的濺射電壓在400V-600V之間,當發生靶中毒時,濺射電壓會顯著降低。
(2)金屬靶材與化合物靶材本來濺射速率就不一樣,一般情況下金屬的濺射系數要比化合物的濺射系數高,所以靶中毒后濺射速率低。
(3)反應濺射氣體的濺射效率本來就比惰性氣體的濺射效率低,所以反應氣體比例增加后,綜合濺射速率降低。
真空鍍膜靶材中毒現象及處理方法:
(1)采用閉環控制反應氣體的通入量。
(2)采用中頻電源或射頻電源。
(3)采用孿生靶
(4)控制鍍膜模式的變換:在鍍膜前,采集靶中毒的遲滯效應曲線,使進氣流量控制在產生靶中毒的前沿,確保工藝過程始終處于沉積速率陡降前的模式。