真空鍍膜靶材中毒現象及處理方法

　　靶中毒現象是怎么回事?

　　(1)陽極消失：靶中毒時，接地的真空室壁上也沉積了絕緣膜，到達陽極的電子無法進入陽極，形成陽極消失現象。

　　(2)正離子堆積：靶中毒時，靶面形成一層絕緣膜，正離子到達陰極靶面時由于絕緣層的阻擋，不能直接進入陰極靶面，而是堆積在靶面上，容易產生冷場致弧光放電---打弧，使陰極濺射無法進行下去。

　　靶中毒的物理解釋

　　(1)寶雞歐凱濺射靶材指出，一般情況下，金屬化合物的二次電子發射系數比金屬的高，靶中毒后，靶材表面都是金屬化合物，在受到離子轟擊之后，釋放的二次電子數量增加，提高了空間的導通能力，降低了等離子體阻抗，導致濺射電壓降低。從而降低了濺射速率。一般情況下磁控濺射的濺射電壓在400V-600V之間，當發生靶中毒時，濺射電壓會顯著降低。

　　(2)金屬靶材與化合物靶材本來濺射速率就不一樣，一般情況下金屬的濺射系數要比化合物的濺射系數高，所以靶中毒后濺射速率低。

　　(3)反應濺射氣體的濺射效率本來就比惰性氣體的濺射效率低，所以反應氣體比例增加后，綜合濺射速率降低。

　　真空鍍膜靶材中毒現象及處理方法：

　　(1)采用閉環控制反應氣體的通入量。

　　(2)采用中頻電源或射頻電源。

　　(3)采用孿生靶

　　(4)控制鍍膜模式的變換：在鍍膜前，采集靶中毒的遲滯效應曲線，使進氣流量控制在產生靶中毒的前沿，確保工藝過程始終處于沉積速率陡降前的模式。